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Nanostructures de semiconducteurs à grande bande interdite

Collège doctoral

2017 - 2024

U Nice (CRHEA/CNRS) - U Bochum

Cette Ecole Doctorale Franco-Allemande qui existe depuis plus de 12 ans permet aux jeunes chercheurs de se former dans le domaine de la physique expérimentale des semiconducteurs par un doctorat binational dans deux laboratoires importants et équipés de façon complémentaire (CRHEA/Université Côte d’Azur et AFP/Universität Bochum). Les méthodes modernes de fabrication (MBE, MOCVD, FIB) de semiconducteurs à grand gap (GaN, ZnO, GaAs) sont employées pour la fabrication et l‘étude de systèmes quantiques nanostructurés. Les matériaux GaN sont à la base des DEL bleues et blanches et commencent à être utilisés dans l’électronique de puissance. La recherche liée à GaN a donc un grand impact sociétal. Outre les aspects techniques, nos doctorants apprennent aussi, à travers les échanges, comment fonctionne la recherche en France et en Allemagne, élargissant ainsi leurs perspectives de travail international.

 

Site Internet: http://www.afp.ruhr-uni-bochum.de/DFH-UFA/index.de.html

Responsable de programme (all.): Prof. Dr. Andreas Dirk Wieck

Responsable de programme (fr.): Monsieur Jean-Michel Chauveau

Téléphone: 00 33 4 93 95 78 22

Courriel: Jean.Michel.Chauveau@crhea.cnrs.fr

dernière mise á jour: 17. mai 2018