Nanostructures de semiconducteurs à grande bande interdite

Cette Ecole Doctorale Franco-Allemande qui existe depuis plus de 12 ans permet aux jeunes chercheur*euses de se former dans le domaine de la physique expérimentale des semiconducteurs par un doctorat binational dans deux laboratoires importants et équipés de façon complémentaire (CRHEA/Université Côte d’Azur et AFP/Universität Bochum). Les méthodes modernes de fabrication (MBE, MOCVD, FIB) de semiconducteurs à grand gap (GaN, ZnO, GaAs) sont employées pour la fabrication et l‘étude de systèmes quantiques nanostructurés. Les matériaux GaN sont à la base des DEL bleues et blanches et commencent à être utilisés dans l’électronique de puissance. La recherche liée à GaN a donc un grand impact sociétal. Outre les aspects techniques, nos doctorant*es apprennent aussi, à travers les échanges, comment fonctionne la recherche en France et en Allemagne, élargissant ainsi leurs perspectives de travail international.