Nanostructures de semiconducteurs à grande bande interdite

Dans ce collège de doctorants, des diodes à semi-conducteurs à base de GaN sont fabriquées, caractérisées, optimisées pour la détection de proton de haute énergie. Ces diodes sont assemblées en matrice de taille moyenne actuellement (barrette de 10-15 pixels) et très prochainement de grande taille (128 pixels). Enfin, en 2024, des matrices de grandes tailles seront réalisées afin de réaliser l’assurance qualité des faisceaux de protons. Un développement ultime pourra être l’imagerie de protons. De tels faisceaux de protons sont utilisés dans des centres médicaux à Essen (Allemagne) et à Nice (France) pour le traitement des tumeurs, offrant ainsi la thérapie la plus moderne et prometteuse contre le cancer. Jusqu’à présent, la capacité d’accueil des patients, c’est-à-dire l’accessibilité à cette technologie coûteuse, est restée en partie limitée par le taux nécessaire pour le calibrage de faisceau. Les détecteurs de GaN peuvent apporter une avancée significative en termes d’équipement, grâce à leur robustesse face à l’irradiation par protons, ce qui constitue le thème de ce collège de doctorants.